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1.7-7.5V输入电压/0.2A输出电流的超低功耗低压差线性稳压芯片润

时间日期:2021-01-25
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高压差线性网络稳压处理芯片(即LDO)在各项光学软件面有着相当丰富的操作,市场的要求量可观。具备愈加建立完善的资源的,开发了超高显卡功耗的LDO RS3221。RS3221主要的包括CMOS新工艺设定,其主要的优势如下所述:
●企业自身耗电量直流电低至1µA;
●给出到达200mA的所在瞬时电流;
●低Dropout电阻,160mV@200mA&3.3V;
●保证更宽的输进电压降领域,1.7V~7.5V;
●作为0.8V/1.2V2种VFB的电阻值,包含业内人士常有跟进基本准则的电阻值。
USB数据模块甚至某个电源线数据模块在热插拔是会造成浪涌直流电流(见图2),这才是控制电路设汁时都要要解决办法的复杂难题,常见非高压CMOS生产技术最快耐压性仅为6V,不做特别的防浪涌设汁下根本点不够以承吸热插拔时浪涌直流电流的蠕变。
USB数据接口热插拔浪涌波形参数:
注:黄颜色线为浪涌输出功率,灰色线为浪涌瞬时电流。
润石信息技术做半导体技术行业领域的后来居上,明显掌握操作上的细致耍求,RS3221越来越选8V CMOS技艺设计的,其宽插入线电流值范围图既会完满克服USB VBUS模块规格或另外电源模块模块规格热插拔时的浪涌线电流值,又能网络覆盖多节干锂电、单节锂锰锂电和另外钮扣锂电的世界上最大发出电线电流值耍求,最终得以可以打造更优的细则选。RS3221可以打造多重规格封口,包涵SOT23-3、SOT23-5、SC70-5、DFN1x1、SOT89-3等,并可以打造多种多样实用读取线电流值,亦接纳定制网站特殊性读取线电流值和封口,认可客户施工师们实测和电机选型。
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